| 000 | 01053nam a2200229 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000110714 | ||
| 003 | AM-YEHGA | ||
| 005 | 20240827000130.0 | ||
| 008 | 950720s1981 ru ||||| |||| 00| 0 rus d | ||
| 040 |
_aAM-YEHGA _cAM-YeHGA |
||
| 041 | 0 | _arus | |
| 245 | 0 | 0 |
_aЛегирование полупроводников методом ядерных реакций / _cЛ.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. |
| 260 |
_aНовосибирск : _bНаука. Сиб. отд-ние, _c1981. |
||
| 300 |
_a181 с. : _bил. ; _c21 см. |
||
| 650 | 1 | 4 |
_aПолупроводники _xЛегирование ядерное |
| 700 | 1 | _aСмирнов, Леонид Степанович | |
| 700 | 1 | _aСоловьев, С.П. | |
| 700 | 1 | _aСтась, В.Ф. | |
| 700 | 1 | _aХарченко, В.А. | |
| 710 | 2 | _aИнститут физики полупроводников СО АН СССР | |
| 942 |
_2udc _cBK |
||
| 999 |
_c36674 _d36674 |
||